1、本年度报告摘要来自年度报告全文，为全方面了解本公司的经营成果、财务情况及未来发展规划，投资者应当到网站仔细阅读年度报告全文。

  公司已在2024年年度报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅2024年年度报告第三节管理层讨论与分析“四、风险因素”部分内容。

  3、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

  5、天职国际会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

  公司拟向全体股东每10股派发现金红利0.44元（含税）。截至第二届董事会第二十二次会议通知日（2025年4月23日），公司总股本457,678,129股，以扣减回购专用证券账户中股份总数3,705,500股后的股本453,972,629股为基数，以此计算合计拟派发现金红利19,974,795.68元（含税）。如在本公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生变动的，拟维持每股分配比例不变，相应调整分配总额，并将另行公告具体调整情况。

  公司是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商，研发生产的高端薄膜沉积设备大范围的应用于半导体晶圆、光伏电池片生产的关键环节，薄膜性能直接影响半导体器件性能以及电池片的光电转换效率。

  半导体领域ALD设备，适用于高介 电常数（High-k）栅氧层、MIM电容 器绝缘层等薄膜工艺需求

  半导体领域ALD设备，适用于栅极 金属（GateMetal）、MIM金属电极、 扩散阻挡层、CuBS层等关键工艺

  半导体领域ALD设备，每个工艺腔 可一次处理25片12英寸晶圆，适用 于成膜镀率低，厚度要求高，以及产 能要求高的关键工艺及应用

  半导体领域ALD设备，可满足6、8 英寸晶圆制造量产工艺需求，同时也 可实现用户高端研发和新工艺试量 产需求

  半导体领域PEALD设备，可为逻辑 芯片、存储芯片、先进封装等提供客 制化掩膜层、介质层、隔离层、多级 图案化等关键工艺解决方案

  半导体领域PECVD设备，在高温工 艺条件下沉积的薄膜具有高硬度和 高刻蚀比等特性，为逻辑和存储等领 域芯片制造的特殊工艺提供解决方 案

  半导体领域PECVD设备，可沉积 SiO、SiN、SiON、SiCN、(U)LK、 2 a-Si等不一样的种类薄膜，涵盖的工艺温 度从200~700℃

  半导体领域LPCVD设备可满足 SiGe、p-Si、dopeda-Si等薄膜沉积工 艺的开发和量产需求

  半导体领域PECVD设备，可为先进 封装制造领域提供薄膜沉积解决方 案，满足SiO2、SiN、SiCN等薄膜工 艺的应用需求

  注：1、随公司产品品种类型的不断丰富，公司持续完善产品型号命名规则；2、产业化应用是指已实现销售，产业化验证是指已签署合同并正在履行，开发实现是指已形成研发样机，虽未与客户签署销售合同但已进行试样验证，下同。

  光伏领域ALD设备，可用于PERC、 TOPCon、XBC、HJT、钙钛矿等光伏 电池技术路线

  光伏领域PECVD、PEALD设备，可 用于PERC、XBC、TOPCon、HJT 等技术路线

  光伏领域扩散/退火设备，兼容磷、硼 两种扩散工艺，同时提供退火，氧化 和LPCVD功能

  光伏领域空间型ALD设备，适用于 正式或反式、单结或叠层的钙钛矿光 伏电池技术路线）其他新兴应用领域主要产品

  柔性电子领域卷对卷ALD镀膜平台， 适配于大面积柔性衬底实现连续卷 对卷镀膜

  光学领域ALD设备，适用于各类光 学摄像头、AR/VR光学透镜及精密光 学元器件镀膜

  除上述专用设备外，公司还为客户提供配套产品及服务，最重要的包含设备改造、备品备件及其他两类业务。

  ①设备改造。公司的设备采用模块化设计，企业能针对市场需求和技术发展的新趋势，为已销售的在役设备提供改造服务，以帮助下游客户用较少的成本达到降本增效的效果，提高设备服役年限。公司目前的设备改造集中在光伏领域设备，设备改造的内容最重要的包含尺寸改造、工艺改造等。

  ②备品备件及其他。公司设备在运行过程中，部分零部件会出现正常损耗，因此下游客户需向公司采购易损耗的零部件。备品备件主要为载具（一体舟）等产品。公司还针对设备提供载具清洗、耗材更换等后续服务。

  公司通过向客户销售专用设备，提供设备改造、备品备件等配套产品及服务，获得相应的收入，扣除成本、费用等相关支出，形成公司的盈利。

  公司主要是依据研发、生产、售后服务的需求计划和安全库存的需要等制定和执行采购计划，在合理控制库存的同时，保证物料供应的及时性。

  公司采用定制化设计与生产。按照每个客户采购意向和需求来做产品定制化设计与生产，以实现用户的差异化需求。公司在设备生产中存在外协加工的情况，公司外协加工包括外购加工件和委外加工两种情形。

  公司的销售模式为直销，主要是通过直接接洽和投标的方式获取客户。设备运至客户指定的位置后，公司负责组织安装调试、配合客户生产工作，并提供技术指导、售后跟踪和维修服务。

  公司的产品研制及产业化流程最重要的包含需求提出、立项和规划阶段、开发实现阶段、产业验证阶段、产业化应用阶段。

  根据《国民经济行业分类与代码》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于C3562半导体器件专用设备制造（指生产集成电路、二极管（含发光二极管）、三极管、太阳能电池片的设备的制造），属于高端装备在半导体、光伏等新一代信息技术领域、新能源的应用。依据公司产品的应用领域的不同，下业发展状况如下：

  薄膜沉积设备是半导体前道工艺设备的核心设备之一，受下游晶圆产线扩产、技术迭代和新兴工艺的驱动，行业拥有较大的市场空间和良好的成长性。

  半导体行业是电子信息产业的基础支撑，产业链最重要的包含半导体材料、半导体设备和设计、晶圆制造、封测环节。长久来看，半导体是周期与成长并存的行业，全球半导体行业已经历多轮周期，整体在波动中上升。随着以AI（AI）为代表的新兴应用的快速地发展，先进制程及芯片技术创新，新材料及3D封装技术的发展，HBM、GAA-FET等尖端芯片和高端存储等芯片产能扩产将是半导体设备市场未来的主要推动力。

  在AI等新兴应用推动下全球半导体市场有望在2030年突破1万亿美元市场规模来源：SIA,AppliedMaterials–SMI;2030Forecasts:TechInsights 晶圆制造环节中，薄膜沉积设备制备的各类薄膜发挥着导电、绝缘、阻挡污染物等及其重要的作用， 直接影响半导体器件性能，其与刻蚀设备、光刻设备并称为晶圆制造的三大主设备，投资额占晶 圆制造设备投资总额的18%以上。 晶圆厂设备投资构成来源：SEMI、Gartner、天风证券薄膜沉积设备的不停地改进革新和进步支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。随着集成电路制造 不断向更尖端工艺发展，单位面积集成的电路规模逐步扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，先进 制程芯片和高端存储芯片所需要的薄膜层数和种类慢慢的变多，对绝缘介质薄膜、导电薄膜的材料 种类和性能参数不断提出新的要求，这给以薄膜沉积设备为核心产品的公司带来了极大的成长机 会。MaximizeMarketResearch预计2029年全球半导体薄膜沉积设备市场规模将达559亿美元， 同比推算国内市场规模将达162亿美元。 2019-2029年全球半导体薄膜沉积设备市场规模及预测（亿美元）半导体薄膜沉积行业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户认证壁垒，国际市场目前主要由传统设备厂商占主要市场占有率，国产化趋势明显。

  半导体薄膜沉积设备具备了极高的技术壁垒，由于传统的国际大型厂商成立较早，具有先发优势，而半导体设备又具有验证周期长、配套设施和供应链重置成本高的特点，后发厂商的客户认证壁垒较高，多重因素导致目前全球薄膜沉积设备市场基本上由应用材料AMAT(AppliedMaterials,Inc.)、泛林半导体LAM(LamResearchCorporation)、东京电子TEL(TokyoElectronLimited)、先晶半导体ASM(ASMInternational)等传统设备厂商占有主要市场份额。

  近年来，通过国家重大专项、集成电路产业投资基金等战略举措的持续推动，以及部分非公有制企业的快速崛起，我国半导体制造体系和产业生态得以建立并逐渐完备。我国半导体设备产业在部分细致划分领域已取得显著进步，但整体国产化率仍处于较低水平，尤其在薄膜沉积等核心设备领域，中高端产品的国产化进程明显滞后，且实际应用场景仍较为有限。

  为推动我国半导体产业的发展，国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金，相关支持政策不断落实与实施，本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机。同时，当前，海外半导体工艺设备供应受限，基于供应链安全的考虑，国内晶圆厂商对半导体工艺设备的国产化需求强烈，本土半导体设备的导入和验证加速。薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备，将会迎来巨大的发展机遇。

  薄膜沉积设备是太阳能电池片制造环节的关键设备之一，受益于光伏行业装机规模持续扩大和旧设备改造需求量开始上涨，未来市场发展的潜力广阔。

  光伏电池片制作的完整过程中，薄膜沉积设备制备的薄膜直接影响电池片的光电转换效率。随着电池结构的发展与电池转换效率的不断的提高，薄膜沉积设备的主体地位愈发凸显，且在电池产线设备投资中的占比不断提高。

  全球《巴黎协定》的签订以及中国碳达峰和碳中和目标的提出，全球能源转型驱动光伏装机规模持续扩大。国内经过过去十多年加快速度进行发展，光伏技术不断突破，发电成本迅速下降，装机规模迅猛增长，根据中国光伏行业协会（CPIA）数据，2024年国内累计新增装机277.57GW，同比增长28.3%，新增和累计装机量继续保持全球第一的水平。电池片产量超过654GW，同比增长10.6%。同时，电池技术也加快了从PERC到TOPCon的迭代，N型电池市场占有率大幅度上升。

  装机容量和电池片产量的逐步扩大，以及电池技术的迭代持续带动了光伏设备尤其是薄膜沉积设备需求的增加。

  光伏电池片技术迭代带来设备新需求，具备相应技术储备和研发实力的公司具备拥有更强的市场竞争力。

  光伏电池片制造环节的规模优势显著、技术迭代较快，在实现规模经济、降本增效的驱力下，电池片厂商积极扩产并推动新技术产业应用，其中薄膜沉积设备作为光伏电池的核心设备与新型工艺技术开发紧密结合并持续迭代发展。

  目前，TOPCon、HJT、XBC等新型电池技术路线是新建量产产线的主要方向。本轮技术迭代周期，率先实现研发技术与量产的领先设备厂商将更具市场竞争力。公司长期深耕光伏新能源产业，在TOPCon、XBC、钙钛矿及钙钛矿叠层等电池技术领域均有产品储备、布局和出货，为下游厂商提供全球领先的设备产品和解决方案，持续引领行业技术发展。

  在半导体领域内，公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备（ALD）应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩膜化学气相沉积设备（CVD）国产厂商，也是行业内率先为新型存储提供薄膜沉积技术上的支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多家厂商建立了深度合作伙伴关系，相关这类的产品涵盖了逻辑、存储、化合物半导体、新型显示（硅基OLED等）等诸多细分应用领域，多项设备关键指标达到国际领先水平，能够很好的满足国内客户当前技术的需求和未来技术更迭的需要。

  在光伏领域内，公司作为率先将ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行 业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同 时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化XBC、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池 技术，引领光伏行业技术迭代。 根据公开的市场数据统计，公司ALD产品已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方 面位居国内同类企业第一。 (3).报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展状况和未来发展的新趋势 ? 半导体薄膜沉积设备技术发展状况和趋势 半导体薄膜沉积设备技术的演进路径和半导体器件的大小和结构息息相关。在摩尔定律的推 动下，元器件集成度的大幅提高要求集成电路线宽不断缩小，影响集成电路制造工序愈为复杂， 对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。同时，随着线宽不断缩小，晶体管密度越接近物 理极限，单纯依靠提高制程来提升集成电路性能将慢慢的变难，并且成本也在指数级攀升，因 此集成电路目前已进入“后摩尔时代”，制造工艺向着小型化、多样化和高能效、功能化方向发展， 各类新器件、新构架、新材料、新工艺、新设备不断出现。这一趋势对薄膜沉积设备产生了更高 的技术方面的要求，市场对高性能薄膜沉积设备的依赖逐渐增加。 半导体领域内PVD、CVD、ALD三类薄膜沉积技术相互补充、不断迭代，共同满足先进半 导体器件技术发展的需要 常见的半导体领域中薄膜类型大致上可以分为半导体、介质、金属/金属化合物薄膜三大类。半导体 领域薄膜的沉积材料与应用场景复杂多样，伴随制程的演变及材料需求增加，薄膜沉积工艺和设 备慢慢的提升。依据薄膜制备依据的基础原理不同，可将薄膜沉积设备分为不一样的技术路线。PVD、 CVD、ALD三类薄膜沉积技术均为目前半导体领域的主流技术路线，但各技术适用的环节有所不 同。在芯片的制作的完整过程中，涉及十余种不一样的材料的薄膜、数十种工艺类型、上百道工艺环节，需 要不同性能和材料的薄膜，因此PVD、CVD、ALD三类薄膜沉积技术依靠各自技术特点拓展适 合的应用领域，材料制备上相互补充，各自也随着下游应用需求的提高持续发展。 PVD、CVD、ALD薄膜沉积效果示意图ALD技术相较于CVD技术和PVD技术，产业化应用起步时间较晚，在45nm以上等成熟制程、2D平面结构器件中应用较少，2007年Intel公司才首次在45nm技术节点上开始应用ALD技术进行薄膜制备，主要由于在先进制程节点下，原来用于成熟制程的溅射PVD、PECVD等工艺不足以满足部分工序要求，因此就需要引入ALD技术。ALD技术凭借其原子层级沉积特点，具有薄膜厚度精确度高、均匀性好、台阶覆盖率极高、沟槽填充性能极佳等优势，很适合在对薄膜质量和台阶覆盖率有较高要求的领域应用，在45nm以下节点以及3D结构等半导体薄膜沉积环节具备比较好的应用前景。半导体制程演进与薄膜沉积技术对应情况如下：半导体薄膜沉积技术的演进过程在人工智能技术（AI）为核心驱动的新一轮半导体周期中，ALD技术等尖端薄膜沉积技术对满足半导体器件新架构、新工艺和新材料的需求具有无法替代的关键性作用随着AI在大数据计算、图像识别与生成、医学诊断与研究、娱乐和软件等产业中的应用加速发展，对计算能力的需求日渐增长，推动了半导体器件逐步的提升工作速度并降低能耗。这促使逻辑芯片内部晶体管结构的微缩、存储器的3D结构化和先进封装应用等新架构、新工艺和新材料的需求不断涌现。

  半导体器件结构的复杂化和微型化对薄膜沉积提出了原子级的要求。ALD技术凭借其三维共形性、大面积成膜均匀性和精确膜厚控制的优异特性，成为满足这些要求的关键技术。SEMI预计，2020年至2025年全球ALD设备市场规模的年复合增长率将达到26.3%，在各类关键晶圆生产设备中增速最快。

  在逻辑芯片、DRAM、3DNAND、新型存储器、先进封装等领域的前沿应用中ALD技术优势的具体表现如下：

  目前，半导体行业的薄膜沉积设备中，ALD设备作为技术发展所必需的工艺设备。随着国内半导体产业技术的持续升级，ALD设备的必要性更加凸显。

  CVD薄膜沉积技术覆盖了集成电路前道制作的完整过程中大部分沉积工艺，市场顶级规模，CVD设备尤其是高端CVD设备在芯片制作的完整过程中具有无法替代的作用

  由于技术上所具有的特点，CVD设备大范围的应用于半导体薄膜沉积的各环节，并与别的类型薄膜沉积设备互相补充。根据SEMI和北京欧立信数据显示，在2021年全球各类薄膜沉积设备市场占有率中，PECVD、LPCVD等CVD技术仍是薄膜设备中占比最高的设备类型，PECVD占整体薄膜沉积设备市场的33%，LPCVD设备占比约为11%。

  近些年来随着我们国家半导体制造体系和产业生态建立和逐步完善，包括CVD在内的薄膜沉积设备产业化已有长足进步，但部分关键工艺的半导体薄膜沉积设备的国产化率不足5%，且已实现的应用场景相对有限。半导体领域内关键工艺的高端CVD设备的产业化拥有非常良好的市场前景。

  公司半导体ALD和CVD设备的应用场景均代表国内半导体各细致划分领域的工艺发展的方向，在逻辑芯片、存储芯片、新型显示、化合物半导体和先进封装等领域均有所布局和进展，详细情况如下：

  光伏薄膜沉积设备技术的演进路径与光伏电池类型变化相关。太阳能电池片技术路线最重要的包含铝背场电池（Al-BSF）、PERC、TOPCon、异质结（HJT）、XBC电池、钙钛矿等。目前，PERC技术逐步淘汰，TOPCon已成为目前主流技术路线，同时行业内也在积极布局或探索HJT、XBC、钙钛矿等新型光伏电池技术。

  光伏领域中薄膜沉积技术以PECVD和ALD为主，综合使用多项技术路线是行业趋势。

  PECVD技术因其兼容性高，各类型应用前景广泛。ALD技术作为成膜质量最好的技术，随着光或ALD技术路线为主，根据各自的技术积累和未来技术方向的专业判断，同时进行多种技术路线的选择和尝试。

  公司ALD技术在TOPCon电池中已经取得良好应用，因ALD技术优异的保型性且薄膜材料密度一致，在TOPCon电池具有金字塔绒面的正面AlO钝化层制备中，公司的ALD设备成为主2 3

  流技术路线。同时，公司还基于PEALD、PECVD等多种真空薄膜技术，开发多款不同技术路线的产品，已推出的PE-Tox+PE-Poly设备产业化进展顺利，客户认可度较高，市场占有率快速提升。

  由公司开发的行业内首条GW级PE-TOPCon工艺整线的验收，带动和引领了行业内TOPCon电池的量产导入。同时，公司还积极地探索开发双面Poly、XBC、钙钛矿/钙钛矿叠层电池等新一代高效电池方面的技术。

  中芯聚源私募基金管 理（天津）合伙企业 （有限合伙）－聚源中小企业发展创业投 资基金（绍兴）合伙 企业（有限合伙）

  1、万海盈投资、聚海盈管理、德厚盈投资存在 关联关系及一致行动关系。 2、江阴毅达高新创业投资合伙企业（有限合伙） 执行事务合伙人系南京毅达股权投资管理企业 （有限合伙），南京毅达股权投资管理企业（有 限合伙）受江苏中小企业发展基金（有限合伙） 的执行事务合伙人江苏毅达股权互助基金管理 有限公司控制。 3、除此之外，未知上述另外的股东是不是真的存在关联 关系或一致行动关系。

  存托凭证持有人情况 □适用√不适用 截至报告期末表决权数量前十名股东情况表 □适用√不适用 4.2 公司与控制股权的人之间的产权及控制关系的方框图 √适用 □不适用4.3 公司与实际控制人之间的产权及控制关系的方框图 □适用 □不适用4.4 报告期末公司优先股股东总数及前10名股东情况

  1、公司应该依据重要性原则，披露报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。

  公司2024年营业收入269,990.04万元，同比增长60.74%；2024年归属于上市公司股东的净利润22,670.82万元，同比下降16.16%；2024年扣除非经常性损益后的归属于上市公司股东的净利润18,728.74万元，同比下降0.45%；2024年末公司总资产826,113.35万元，同比增长8.96%；2024年末归属于上市公司股东的净资产259,538.86万元，同比增长10.70%。

  2、公司年度报告披露后存在退市风险警示或终止上市情形的，应当披露导致退市风险警示或终止上市情形的原因。